Pour atteindre un rendement de 21,6%, la cellule fait appel à plusieurs technologies développées en phase de Recherche et Développement, notamment sur la réduction des pertes indique le fabricant. La structure de la cellule HIT® est composée d´un fin wafer de silicium monocristallin enrobé de couches très minces de silicium amorphe, offrant une efficacité de conversion remarquable et des coefficients de température excellents.

Les collecteurs du nouveau module HIT-N240SE10 ont été affinés et le verre qui recouvre le module intègre un revêtement anti-réflexion. Ce nouveau module offre 11,1% de puissance en plus par rapport au rendement du module HIP-215NKHE5 qui était de 17,1% et 9,8% de puissance en plus comparé au rendement de 17.3% du module HIT-240HDE4, deux modules ayant déjà un excellent indice de pénétration sur le marché européen.

Alors que le module N series actuel (HIP-***NKHE5) utilise deux collecteurs, le nouveau module N series (HIT-N240SE10) en compte 3, ce qui permet de réduire la déperdition d’électricité entre les contacts des cellules indique Sanyo. De plus, en concevant des collecteurs plus fins, Sanyo a augmenté la surface efficace, ce qui permet de capter plus de lumière et d’améliorer ainsi le rendement du module.

Les nouveaux modules N series (HIT-N245SE10) utilisent du verre doté d’un revêtement anti-réflexion, ce qui minimise les pertes dues à la réflexion et la dispersion des rayons du soleil. Cette amélioration permet aux cellules de capter plus de lumière et d’accroître le rendement du module. Cet effet est particulièrement remarquable le matin et le soir, lorsque le soleil est bas. Ainsi, le rendement du module est accru de manière spécifique.

B.P